1、为了减小小尺寸moS器件的短沟道效应,采取了改进器件的结构、改变沟道掺杂以及减小栅氧化层厚度等措施。
2、文中通过利用耗尽层阻断沟道的方法,讨论了一种基于RST结构原理实现“或非”逻辑功能的器件结构。
3、带电粒子在晶体中的运动会受到沟道效应和阻塞效应的强烈影响。
4、它还集成了两个内部低饱和PNP晶体管,措置双沟道充电性能.
5、第五章设计了全P沟道TFT构成的屏上驱动电路,包括反相器、移位寄存器、传输门的设计,并用仿真软件进行了仿真验证。
6、由于沟道存在很强的沟床和沟壁侵蚀,沟道也成为土壤侵蚀风险区。
7、经分析,是由于金属栅极的缝隙距离或孔径过大,势垒区耗尽层远小于沟道宽度,栅压起不到明显的调控作用。
8、本发明对底电极的修饰采用沟道半导体材料本身,减小了电极与沟道材料之间的接触电势差。
9、沟道效应的运动阻尼与系统走向混沌的临界特征。
10、藉由本发明可以在维持元件密度的情况下制作较宽的字线,避免短沟道效应,提升元件的效能。